今年全国两会，全国人大代表、中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃就集成电路产业发展带来相关建议。郝跃在接受《中国科学报》采访时表示，既要聚焦核心关键的“卡脖子”难题，破解半导体芯片发展中的底层...
2026-03-09
近日，西安电子科技大学宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室常晶晶教授课题组联合华中科技大学冀晶晶教授团队在基于全印刷透明铟镓氧化物的神经形态视觉系统领域取得新进展，研究成果以“Fully-Printed Tra...
2026-01-14
近日，西安电子科技大学宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室郝跃院士团队张进成教授课题组联合上海空间电源研究所在宽带隙钙钛矿太阳电池器件及其叠层应用方面取得重要研究进展。相关成果以“Guanidyl-Engi...
2026-01-13
近日，2025年度国家自然科学基金青年学生基础研究项目（博士研究生）评审结果公布。实验室南泽、武海迪、崔东升等3名博士研究生成功获批，实现了实验室青年学子在该类项目上的突破！项目一：离电表界面耦合的低功...
2026-01-12
西电新闻网讯（通讯员 沈雪 宁静 刘昭）12月17日，由教育部、财政部共同启动实施，西安电子科技大学、南京大学、兰州大学联合发起的极端电子器件学科突破先导项目启动会在西电北校区召开。校长高新波，中国科学院...
2025-12-29
12月18日，宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室第一届管理委员会和学术委员会第三次会议在南京召开。中国科学院院士郑有炓，中国科学院院士、实验室主任郝跃，中国科学院院士施毅及学术委员会、管理委员会...
2025-12-23
2025 年，《Nature》期刊（DOI: 10.1038/s41586-025-08963-7）刊发半导体领域颠覆性成果 —— 宾夕法尼亚州立大学 Saptarshi Das 教授团队联合韩国成均馆大学、清华大学等跨国研究力量，成功研发全球首台基于二维...
2025-12-05
西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授课题组在超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）射频器件研究中取得重要突破，创造了该类型器件性能的新纪录：最高振荡频率达90 GHz，在6 GHz频率下输出功率密度达到4.1 W/mm，...
2025-11-25
西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授课题组在超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）射频器件研究中取得重要突破，创造了该类型器件性能的新纪录：最高振荡频率达90 GHz，在6 GHz频率下输出功率密度达到4.1 W/mm，...
2025-11-25
11月7日下午，宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室邀请中国科学院国家空间科学中心马英起研究员来校，围绕“集成电路激光单粒子效应测试技术”作专题学术报告，近40名师生参加交流，报告由微电子学院院长郑...
2025-11-11
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