西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授课题组在超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）射频器件研究中取得重要突破，创造了该类型器件性能的新纪录：最高振荡频率达90 GHz，在6 GHz频率下输出功率密度达到4.1 W/mm，并首次展现了氧化镓射频器件的低噪声潜力—在8 GHz下最小噪声系数...

近日，在福建泉州闭幕的第三届全国博士后创新创业大赛总决赛中，我室教师团队表现卓越，共荣获银奖2项、铜奖1项、优胜奖1项，实现在该项国家级高水平赛事中的历史性新突破！ 本届大赛是我国博士后群体中规模最大、层次最广、影响力最强的创新创业赛事，共吸引海内...

近日，西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队常晶晶教授课题组在宽带隙钙钛矿材料CsPb(Cl1-xFx)3及紫外光电探测领域取得新进展，研究成果以“Solution-Processed Mixed Halide Wide-Bandgap Perovskite CsPb(Cl1-xFx)3 for Ultrafast Self-Powered UltravioletPhotodetecto...

近日，西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队常晶晶教授在氧化碲忆阻器神经形态计算领域取得新进展，研究成果以“Artificial Synapses and Logic Gates Based on Tellurium Oxide Memristors for Artificial Vision Applications”为题，已被材料科学领域顶级期刊《Advance...

Figure 1 (a) Molecular structure and ESP of PbS, NHI and NHS materials. Charge diagrams of additives interacted with (b) FAI and (c) Pb-I framework in perovskite lattices. FTIR spectra of (d) pure PbS, PbS+FAI and PbS+PbI2 powders; (e) pure NHI, NHI+FAI and...

近日，西安电子科技大学研究团队在宽禁带半导体材料集成领域取得取得突破性进展，相关成果以“Van der Waals β-Ga2O3 thin films on polycrystalline diamond substrates”为题在线发表于《Nature Communications》（DOI：10.1038/s41467-025-63666-x），该研究成功实现了高质...

2024年度陕西省科学技术奖励结果近日揭晓。宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室（全重室） 取得重要突破，实验室成员牵头完成的两项科技成果分获陕西省自然科学奖一等奖和技术发明奖一等奖。实验室何晓宁教授被授予“陕西省创新驱动秦创原贡献奖”。此次获奖彰显了全重室...

通过二维材料异质外延III氮化物半导体，借助范德华界面能够实现应变弛豫、位错密度降低和无损异质集成，传统方法在二维材料上外延III族氮化物时，二维材料的有限润湿性和弱界面相互作用使得在晶圆尺度上实现III族氮化物半导体的有序晶体取向构成了重大挑战。本研究创新性地提出...

   近日，集成电路学部郝跃院士团队张春福教授、柴文明博士、朱卫东副教授等人合作在《Nano-Micro Letters》 （中国科学院I区TOP期刊，IF=31.6) 上发表题为 “Buried Interface Regulation with TbCl3 for Highly-Efficient All-Inorganic Perovskite/Silicon Tandem Solar C...

（通讯员：董航）西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队陈大正副教授和张春福教授等在Journal of Alloys and Compounds上发表题为《Non-2D passivated methodology of ethyl ammonium bromide for efficient and stable perovskite solar cells》的研究论文。论文第一单位...