序号 | 名称 | 型号 | 规格/能力 | 仪器预约链接 |
1 | 氮氧化物快速热处理设备 | RTP-150 | ||
2 | 光电化学谱仪 | CIMPS-2pro | 电化学工作站+光电模块+IPCE模块+瞬态模块 | |
3 | 半导体参数测试仪 | 4200-SCS/F | 4200-SCS/F | |
4 | 大功率、大尺寸探针台 | S-1106S-8N | 支持被测芯片厚度尺寸:≥100um;XY 行程: 200mm*200mm;最大电压(Coax): 3000V DC; DC 最大电流: 30A (Pulse)、1A(DC); | |
5 | 氮化镓功率器件高压动态特性测试仪 | Keysight B1505A | Keysight B1505A | |
6 | 晶圆平整度分析仪系统 | FlatMaster200 Semi-Automated Wafer System | 晶片直径:2-8英寸,BOW测量精度≤0.05μm,WARP测量精度≤0.05μm | |
7 | 3KV/40A智能大功率探针台 | MPS150-C1A | MPS150 Tesla | |
8 | 固相外延设备 | PRO Line Solid Phase Epitaxy S | PRO Line Solid Phase Epitaxy S | |
9 | 器件可靠性测试专用设备 | 4200A-SCS | 半导体特性分析仪主机/中功率源测量单元/高功率源测量单元/C-V模块/NBTI/PBTI套件 | |
10 | 混合信号集成电路测试机 | STS8205 | STS8205 | |
11 | 半导体参数综合系统 | 4200-SCS | 4200-SCS | |
12 | SVC外延(真空腔) | 定制:直径24*14 | ||
13 | 荧光光谱仪 | FLS980 | FLS980 | |
14 | 真空泵系统 | OCTH500M | ||
15 | 宽带高精度信号分析仪 | N9030A | N9030A | |
16 | 宽带信号分析插件 | U1818B | U1818B | |
17 | 半导体器件分析仪 | B1500A | ||
18 | 光谱椭偏仪 | M-2000U | M-2000U | |
19 | 光学计量仪器 | LabRAM HR Evolution | LabRAM HR Evolution新一代高分辨拉曼光谱仪 | |
20 | 原子层沉淀系统 | ALDR-150 | ||
21 | 半导体集成电路测试系统 | STS-T4 | ||
22 | 射频数据采集分析系统 | PXIE-5646R | PXIE-5646R | |
23 | 实时频谱分析仪 | RSA3308B | ||
24 | 射频探针台 | Summit11000B-M | 50GHz,可升级高低温、高频测试 | |
25 | 矢量网络分析仪 | ZVA50 | 矢量网络分析仪 50GHz | |
26 | 聚焦离子扫描电子显微镜 | Helios G4 | CX XFlash 100 | |
27 | 安捷伦微波测量仪表系统 | |||
28 | 电子束蒸发台 | ohmiker-50 | ||
29 | 反应离子刻蚀系统 | SLR-720 | ||
30 | 负载牵引系统 | |||
31 | 扫描探针显微镜 | Dimension ICON | 扫描探针显微镜‘8英寸样品台/导电AFM分辨率:2pA/形貌测试分辨率:0.35nm’ | |
32 | 多气体全自动吸附系统 | AUTOSORB-IQ | ||
33 | 三维微分析显微镜系统 | KH-7700 | ||
34 | 高压半导体器件测试探针台系统 | MPS150 | 3000伏,20安培直流测试台 | |
35 | 外购终端软件APSYS | Windows10 64 | ||
36 | 瞬态谱仪 | FT1030 | 一套 | |
37 | 光刻机 | NIKON NSR1755I7B | ||
38 | 28nm集成电路仿真物理设计工具 | incisive2019,innovus2019 | 支持28nm CMOS工艺、5000万门、ps级集成电路仿真与物理设计验证功能,有效期3年 | |
39 | 28nm集成电路可测性设计与物理验证工具软件 | mentor EDA SW list2019 | 支持28纳米CMOS工艺、5000万门集成电路可测性设计与物理验证。支持强制性和基于模型的物理验证,为纳米设计提供全面签核检查;支持对验证结果进行按模块、检查、参数等分类过滤;阶层式全芯片寄生参数提取;支持单一验证及参数提取等。 | |
40 | 软件 | 2016 | 2016 | |
41 | 集成电路EDA软件逻辑综合与验证工具 | icc2019,vcs2019 | 28nm集成逻辑综合与逻辑验证工具,支持28纳米CMOS工艺、5000万门集成逻辑综合与逻辑验证工具 | |
42 | 高温快速退火炉 | AS-one 100 HT | AS-one 100 HT | |
43 | 小信号开尔文测试探针台 | EPS150TRIAX | 电流测试精度达fA级,开尔文法测试电容精度达fF级,频率150MHz | |
44 | 扫描式电子显微镜 | 科视达 SH5400 | ||
45 | 分子束外延系统 | MBE-35-N-4 | 进样室/缓冲室/生长室/真空系统/自动控制系统/六个源炉/RF源/RHEED/控制柜 | |
46 | 半导体参数测试系统 | B1500A | B1500A | |
47 | 金属镀膜系统 | |||
48 | 真空物理沉积 | Nexdep | 380V, 立式,电脑控制 | |
49 | 真空物理沉积系统 | Nrxdep | 380V,50Hz,PC控制 | |
50 | 场发射透射电子显微镜 | JEM-2100F | ||
51 | 扫描式电子显微镜 | JSM-7800F | ||
52 | 电子束蒸发真空薄膜沉积系统 | PRO LINE PVD75 | 380v,立式 | |
53 | 非接触方块电阻测试仪 | LEI1510 | ||
54 | 非接触迁移率测量系统 | CEI-1610E100 | ||
55 | 高级型原子层沉积系统 | PEALD R200 Advanced | 380v,lishi | |
56 | 光谱椭偏仪 | M2000D | ||
57 | 霍尔效应测试系统 | 8404 | ||
58 | 拉曼光谱仪 | LABHR-UV | ||
59 | 微波等离子化学气相沉积系统 | PLASSYS-BESEK SAS SSDR150 | SSDR150(2.45GHZ,6KW) | |
60 | 高密度等离子蚀刻机 | ICP-98C | 刻蚀Si3 N4/GaN | |
61 | (MOCVD)晶片生长系统 | Ga材料生长用 | ||
62 | 磁控溅射镀膜机(溅射设备) | PVD75 | ||
63 | 低温真空探针台 | TTPX | 78K-475K | |
64 | 大功率半导体器件分析仪 | B1505A | 3000V/20A | |
65 | 高精度快速半导体器件测试系统 | 4200A-SCS | IV/CV/脉冲测试等 | |
66 | 接触式紫外光刻机 | MA6 | ||
67 | 深能级瞬态谱仪 | |||
68 | 研磨抛光机 | IB400 | ||
69 | 光刻机 | MA6 | MA6 | |
70 | 高压探针台 | MPS150 | 满足6英寸高压GaN基半导体器件的测量表征/四路常规器件(电压200 V)的测试/漏电到fA级别/高压3 KV/40 A (脉冲)和超 高压10KV/600A(脉冲)的水平结构功率器件测试 | |
71 | 场发射扫描电子显微镜 | Apreo 2C | 二次电子分辨率:≤1.0nm@15kV,≤1.3nm@1KV(减速模式≤1.0nm);加速电压:不窄于0.2~30KV 。 | |
72 | 电感耦合等离子增强气相化学沉积设备 | PlasmaPro 100 | 电源400V/50Hz,ICP源3000W/2MHz,RF源300W/13.56MHz | |
73 | 网络协议分析仪 | TestCenter C50 | 1套2台,100-240V-6A,50HZ,2个100G以太网接口,4个10G以太网接口,16个1G以太网接口 | |
74 | 高压大电流测试模块 | N1268A | 10kV | |
75 | 键合机 | SB6 Gen2 | 最大键合压力20kN,最高温度500°,最低真空度1e-5mbar | |
76 | 半导体微区域形貌缺陷分析仪 | Phenom Pharos | Phenom Pharos、场发射、放大倍数≥10万倍、分辨率≤2nm | |
77 | 相位噪声分析仪 | FSWP50 | 频率范围:1MHz至50GHz | |
78 | SoC原型验证平台 | H-LX1-P4,ThinkServer SR590 V2 | 全系统9亿6000万门设计容量;8颗440FPGA器件,单颗容量8GB,1600Mbps,125Mhz;2台SR590V22*5320服务器,16*32GB DDR4 RECC,8*1.92TSSD,2*1600W | |
79 | 椭偏仪 | RC2 XF | 193-1000nm/1nm/65° | |
80 | 室温晶圆键合机 | SAB-ED4NAH | 1E-5Pa/13500N | |
81 | 反射率热成像系统 | Sanjscope反射率热成像系统 | 光谱范围:365nm-800nm;像素:2048*2048;空间分辨率:365nm;最大电压:3000V;最大电流:50A | |
82 | 半导体器件瞬态和稳态热特系统 | MicRed PwT 1500A | 3/12C 8V | |
83 | GaN正面刻蚀机 | GSE C200 | 刻蚀选择比(GaN/PR) 1.05,可应用于4英寸以下GaN晶圆的刻蚀工艺 | |
84 | SiC背孔刻蚀机 | GDE C200 | 刻蚀选择比(SiC/Ni) 22, 可应用于4英寸以下SiC晶圆的刻蚀工艺 | |
85 | 背通孔高密度等离子体刻蚀系统 | SW GDE C200 | 6寸晶圆刻蚀 | |
86 | 步进式光刻机 | FPA3000EX6 | 步进式/六英寸/0.18um | |
87 | 数字电路设计等价验证工具 | SMiT FECT V3.0 | 本软件支持支持对可综合的 C/C++和 Verilog 程序做等价验证;支持 Verilog 2005,支持 generate | |
88 | 晶体管级集成电路可靠性仿真与设计工具 | SMiT Sim V1.0 | 此软件具有分布式并行和多线程并行加速仿真功能,支持 28nm、 16nm 先进工艺节点的 BTI/HCI 可靠性器件模型 | |
89 | 噪声测试扩展模块 | N5247BU | 噪声:50MHz-20GHz:15dB; 20GHz-50GHz:18dB | |
90 | 超大功率半导体器件参数测试仪 | B1506A | 最高电压范围为3kV/500A,电压驱动最小分辨率25μV,测量最小分辨率500nV | |
91 | EDA计算平台 | 宁畅BX50 G50 | 8个双路服务器,720万CPU,云资源128vCPU,512G,一年200G资源;50台终端,4核心8线程8GB DDR4内存,256G SSD硬盘,23.8寸显示器 | |
92 | 集成电路后端与验证EDA软件大学计划包—Mentor | 2310 | 集成电路后端设计与验证 | |
93 | 等价验证工具 | EsseFCEC | 用数学方法验证参考设计与修改设计之间的等价性,从数学上完备地证明系统是否实现了设计者的意图,完成从RTL-to-Netlist的完整等价性验证。 | |
94 | 超宽禁带氧化物半导体金属有机气相沉积设备 | CCS FT 6X2 | 电压:400V/230V AC,频率:50/60Hz,功耗:70kVA | |
95 | 器件在片负载牵引系统 | C-110500 DELTA | 基波tuner/50-110GHz/1mm同轴接头/统内置双定向耦合器 | |
96 | 硬件仿真加速平台(处理器架构) | Palladium Z2 XL48 | 容量3.8亿门,768Gbyte memory资源;支持Verilog,SystemVerilog,VHDL,Gate-level Netlist等硬件描述语言;编译速度140M门/小时以上 | |
97 | 集成电路后端与验证EDA软件大学计划包-Cadence | 2303 | 集成电路后端设计与验证 |