宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室（State Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Devices and Integrated Technology）（以下简称“实验室”）是经国家科技部批准设立的国家级重点实验室。实验室重点依托西安电子科技大学集成电路学部，支撑学校“电子科学与技术”和“集成电路科学与工程”两个核心学科的建设与发展。中国科学院院士郝跃教授担任实验室主任。

学科特色鲜明，定位清晰。实验室面向信息电子、能源电力、航空航天等国家重大战略需求，聚焦宽禁带半导体国际科技前沿和产业竞争关键问题，重点开展从基础理论、材料生长、器件工艺到系统集成的研究工作。实验室是学校“电子科学与技术”国家级重点学科的科研、教学基地和依托单位，该学科在学科评估中连续获评A+。实验室已成为奠定和巩固学科优势，服务国家宽禁带半导体领域科技攻关和高层次人才培养的重要基地。

队伍构成合理，实力突出。实验室汇聚了一支以郝跃院士为引领的高水平教师队伍。现有国家级人才44人次，省级人才47人次。拥有国家自然科学基金委创新研究群体，团队入选“中国五四青年奖章集体”“全国高校黄大年式教师团队”。

平台设施先进，保障坚实。实验室拥有“高质量外延片工艺生长”、“先进电子材料表征测试”、“宽禁带半导体射频/功率器件工艺验证”、“高端器件性能分析和测试”、“系统可靠性和模块验证”等平台，建有宽禁带半导体超净工艺研发线，最高洁净度达百级，设备原值超过5亿元，为高水平研究和人才培养提供了坚实保障。

科研面向需求，成果丰硕。实验室聚焦高质量低缺陷外延材料、高频率高效率射频器件、高功率高可靠功率器件等研究方向。近年来，承担国家重大科技计划、国家科技重大专项、国防重大专项等各类项目690余项。累计荣获国家科学技术进步奖和国家技术发明奖一等奖、二等奖共6项，省部级各类科技奖励20余项。郝跃院士获2019年度陕西省最高科学技术奖。实验室多项研究成果，如“氮化镓射频与功率器件技术”、“碳化硅功率器件技术”、“金刚石材料与器件技术”等，已应用于国家重大工程和国民经济重点领域，实现了产业化技术转移，有力支撑了新能源、高端电子器件、5G通信等产业发展。

支撑人才培养，成效显著。实验室高度重视将科研优势转化为育人优势，支撑学部每年1200余名本科生和研究生的培养工作，在科研实践中培养了大批优秀人才。近年来，培养学生获省级及以上优秀博士学位论文（含提名奖和激励计划）10余篇，累计获国家级教学成果奖5项。

面向未来，实验室将继续服务国家重大战略需求，坚持面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康，为我国宽禁带半导体科技自立自强和产业高质量发展做出更大贡献。