12月18日，宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室第一届管理委员会和学术委员会第三次会议在南京召开。中国科学院院士郑有炓，中国科学院院士、实验室主任郝跃，中国科学院院士施毅及学术委员会、管理委员会全体委员出席会议。中国电科55所所长、国基南方董事长兼党委书记陶洪琪，集团公司首席科学家陈堂胜、首席专家柏松，西安电子科技大学副校长张进成，实验室相关骨干，中国电科55所、西安电子科技大学有关代表参加会议。会议由中国电科55所副所长陈辰主持。

陶洪琪在致辞中强调，宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室要紧紧围绕国家战略需要，强化有组织科研，不断提升科技创新能力和水平，积极打造原创技术策源地、成果孵化高地和人才培养基地，为我国宽禁带半导体领域实现高水平科技自立自强提供支撑。他表示，55所将继续加强对实验室建设的保障和支持，进一步增强实验室解决国家重大战略科技问题的能力和协同创新水平，加快建设国际一流实验室。

会上，柏松代表实验室作2025年度工作报告，全面汇报了实验室建设运行、科技创新、成果转化应用、人才培养、团队建设、平台建设等方面的工作成效，并对后续发展进行了规划说明。

报告指出，2025年以来，实验室在宽禁带半导体射频器件、功率器件、耐高温抗辐射探测传感器件及新一代宽禁带半导体材料与器件等关键领域持续攻关，取得一系列重要进展与突破。与会院士及委员对实验室年度工作成效予以充分肯定。

围绕实验室未来发展，与会委员提出一系列意见建议：一是要进一步优化学术选题机制，精准聚焦学科前沿方向与产业关键共性技术，提升研究任务的前瞻性、针对性与实效性；二是要强化高水平学术人才引育与交流合作，积极吸纳国内外顶尖专家参与学术研讨，营造开放包容、协同创新的科研生态；三是要加速推进科技成果转化应用，打通从基础研究到产业应用的“最后一公里”，实现创新链与产业链深度融合。

会议期间，西安电子科技大学宁静教授和中国电科55所设计师李士颜分别带来题为《宽禁带半导体新型异质结构与射频器件研究进展》和《 AI 数据中心供电﹣中高压碳化硅产业新机遇》的学术报告，分享了相关领域的最新研究动态与产业趋势，为实验室未来发展提供了有益参考。

本次会议进一步凝聚了发展共识，明确了实验室的战略定位与重点任务下一步，实验室将充分吸纳与会专家的意见建议，持续强化有组织科研，聚力突破关键核心技术，加速成果转化与人才培养，为我国宽禁带半导体产业高质量发展提供坚实支撑。