获奖名称：2023年度国家科技进步奖一等奖

该项目针对5G通信对射频功率放大器在高频率、高能效、宽带宽和高线性度等方面的迫切需求，突破了GaN射频功率放大器在外延材料、器件工艺、电路设计与系统算法等关键环节的技术瓶颈，建立了全链条自主可控的GaN射频功率器件技术体系，实现了高性能氮化镓射频功率芯片的大规模量产和在5G基站中的广泛应用。成果显著提升了我国在高端射频芯片领域的自主创新能力和国际竞争力，对推动5G通信产业发展和产业结构优化升级具有重大战略意义。