获奖名称：2023年度陕西省技术发明奖一等奖

针对现阶段SiC功率器件击穿效率低、功率密度小、可靠性差的问题，本项目攻克了高击穿电压电场调制与芯片终端保护技术，高功率密度SiC 芯片设计与工艺技术，长寿命、高可靠性SiC芯片关键技术等技术瓶颈。项目成果已推广至陕西半导体先导技术中心有限公司等企业，大幅度提升了企业产品研发能力，为推动我国功率器件产业和新一代能源转换系统实现跨越式发展起到重大作用。